سامسونگ فناوری پکیجینگ ۱۲ لایه تراشه مبتنی بر TSV را توسعه داد
سامسونگ فناوری پکیجینگ ۱۲ لایه تراشه مبتنی بر TSV را توسعه داد
سامسونگ قدم مهمی در صنعت تولید تراشه برداشت و فناوری پکیجینگ سهبعدی TSV را به تولید محصولات ۱۲ لایه توسعه داد.
سامسونگ الکترونیکس از پیشگامان صنعت حرفهای تولید نیمههادی محسوب میشود. جدیدترین اخبار از این شرکت ادعا میکند که آنها موفق به تولید تراشهی ۱۲ لایه مبتنی بر فناوری ۳D-TSV شدهاند. نوآوری جدید کرهایها بهعنوان یکی از چالشیترین فناوریهای پکیجینگ تراشه در جهان شناخته میشود که در تولید انبوه تراشههای با کاربری حرفهای مطرح است. در تولید با استفاده از این فناوری به دقت بسیار بالا نیاز خواهد بود تا ۱۲ تراشهی DRAM با تنظیم بیش از ۶۰ هزار سوراخ TSV به هم متصل شوند. هر یک از سوراخها قطری بهاندازهی یکبیستم ضخامت تار مو دارد.
ضخامت کل تراشه بهاندازهی ۷۲۰ میکرومتر، برابر با محصولات هشت لایهی High Bandwidth Memory-2 است. درنتیجه رسیدن به چنین ابعادی بهعنوان یک پیشرفت بسیار مهم در طراحی قطعات محسوب میشود. چنین فناوری به مشتریان سامسونگ امکان میدهد تا محصولات نسل بعدی را با ظرفیتهای بسیار بالا تولید و بدون نیاز به تغییر ابعاد و طراحیهای پایه، از ظرفیتهای تراشههای جدید استفاده کنند. بهعلاوه فناوری پکیچینگ سهبعدی زمان انتقال داده بین تراشهها را هم کاهش میدهد. سرعت این فناوری نسبت به فناوری اتصالی کنونی (Wire Bonding) بیشتر خواهد بود و درنهایت به کاهش مصرف نیرو هم منجر میشود.
هنگ جو باک، معاون ارشد اجرایی TSP در سامسونگ الکترونیکس دربارهی دستاورد جدید میگوید:
فناوری پکیجینگ که تمامی پیچیدگیهای تراشههای حافظه با کارایی بالا را پوشش بدهد، از نیازهای حیاتی دنیای امروز محسوب میشود. کاربردهای بسیار متنوع و جدیدی که روزبهروز بر تعداد آنها افزوده میشود، این نیاز را چندبرابر میکنند. از میان آنها میتوان به کاربردهای هوش مصنوعی (AI) و پردازش با قدرت بالا (HPC) اشاره کرد.
با نزدیک شدن قانون مور به محدودیتهای نهایی، نقش فناوری ۳D-TSV بیشازپیش اهمیت پیدا میکند و بهسمت حیاتی شدن پیش میرود. ما میخواهیم در خط مقدم این فناوری پکیجینگ پیشرفته باشیم.
سامسونگ با تکیه بر فناوری تولید ۱۲ لایهی مبتنی بر ۳D-TSV، توانایی ارائهی بالاترین کارایی را در بازار محصولات DRAM خواهد داشت. چنین کارایی در کاربردهای با حجم داده و نیاز به سرعت بسیار بالا، حیاتی خواهد بود.
سامسونگ با افزایش لایههای تراشه از هشت به ۱۲، بهزودی توانایی تولید حافظههای با پهنای باند بالای ۲۴ گیگابایتی (HBM) را خواهد داشت. چنین محصولاتی، ظرفیت پهنای باندی سهبرابر نمونههای موجود در بازار ارائه میکنند. بهعلاوه کرهایها پس از تجاری کردن نوآوری جدید میتوانند با تقاضای روبهرشد بازار برای راهکارهای HBM هماهنگ شوند. درواقع فناوری جدید ۱۲ لایهی ۳D TSV امکان حفظ فرمانروایی بازار را برای غول کرهای صنعت تراشه فراهم میکند.